BF862.215

BF862.215图片1
BF862.215中文资料参数规格
技术参数

额定功率 300 mW

击穿电压 -20.0 V

极性 N-Channel

耗散功率 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买BF862.215
型号: BF862.215
制造商: NXP 恩智浦
描述:Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 25mA; 300mW; SOT23

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