BSP62.115

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BSP62.115中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定功率 1.25 W

极性 PNP

耗散功率 1.25 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买BSP62.115
型号: BSP62.115
制造商: NXP 恩智浦
描述:Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.25W; SOT223

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