BLF6G10LS-200RN

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BLF6G10LS-200RN中文资料参数规格
技术参数

输出功率 40 W

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF6G10LS-200RN
型号: BLF6G10LS-200RN
制造商: NXP 恩智浦
描述:功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistor
替代型号BLF6G10LS-200RN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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