BCV65

BCV65图片1
BCV65中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

耗散功率Max 250 mW

封装参数

封装 TO-253-4

外形尺寸

封装 TO-253-4

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: BCV65
制造商: NXP 恩智浦
描述:NPN / PNP通用晶体管 NPN/PNP general-purpose transistor
替代型号BCV65
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCV65

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BCV65,215

恩智浦

完全替代

BCV65和BCV65,215的区别

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