BAS116QAZ

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BAS116QAZ中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.25V @150mA

耗散功率 470 mW

反向恢复时间 3000 ns

正向电流Max 0.3 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 150 ℃

耗散功率Max 470 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN-3

外形尺寸

高度 0.36 mm

封装 DFN-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买BAS116QAZ
型号: BAS116QAZ
制造商: NXP 恩智浦
描述:Diode Switching 85V 0.3A 3Pin DFN-D EP T/R

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