BC858CDXV6T1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

BC858CDXV6T1中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC858CDXV6T1

型号： BC858CDXV6T1

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor

替代型号BC858CDXV6T1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BC858CDXV6T1 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
BC858CDXV6T5 安森美	完全替代	BC858CDXV6T1和BC858CDXV6T5的区别
BC858CDXV6T5G 安森美	完全替代	BC858CDXV6T1和BC858CDXV6T5G的区别
BC858CDXV6T1G 安森美	功能相似	BC858CDXV6T1和BC858CDXV6T1G的区别