BSZ180P03NS3E G

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BSZ180P03NS3E G概述

Trans MOSFET P-CH 30V 39.6A 8Pin TSDSON EP T/R

Summary of Features:

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Enhancement mode
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Normal level, logic level or super logic level
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Avalanche rated
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Pb-free lead plating; RoHS compliant

立创商城:
BSZ180P03NS3E G


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R


儒卓力:
**P-CH 30V 40A 18mOhm S3O8 **


BSZ180P03NS3E G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

阈值电压 1.9 V

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1480pF @15VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

引脚数 8

封装 TSDSON-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

高度 1.10 mm

封装 TSDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BSZ180P03NS3E G
型号: BSZ180P03NS3E G
描述:Trans MOSFET P-CH 30V 39.6A 8Pin TSDSON EP T/R

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