BSP125 H6327

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BSP125 H6327中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 25 Ω

耗散功率 1.8 W

阈值电压 1.3 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 14.4 ns

输入电容Ciss 100pF @25VVds

下降时间 110 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BSP125 H6327
型号: BSP125 H6327
描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4Pin SOT-223 T/R

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