BAS40-06 RF

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BAS40-06 RF概述

1A,Taiwan Semiconductor低功率损耗 低正向压降 高电流容量 ### 二极管和整流器,Taiwan Semiconductor

肖特基势垒,最大 1A,

低功率损耗

低正向压降

高电流容量

### 二极管和整流器,Taiwan Semiconductor


欧时:
Taiwan Semiconductor 二极管 BAS40-06 RF 肖特基, Io=200mA, Vrev=40V, 5ns, 3引脚 SOT-23封装


艾睿:
200mW Schottky 40V Dual Com. Anode SOT23


Allied Electronics:
200mW Schottky 40V Dual Com. Anode SOT23


BAS40-06 RF中文资料参数规格
技术参数

最大正向浪涌电流(Ifsm) 600 mA

正向电压Max 1 V

正向电流Max 200 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.2 mm

封装 SOT-23

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BAS40-06 RF
型号: BAS40-06 RF
制造商: Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述:1A,Taiwan Semiconductor 低功率损耗 低正向压降 高电流容量 ### 二极管和整流器,Taiwan Semiconductor

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