BAS70-06 RF

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BAS70-06 RF概述

肖特基势垒二极管,最大 1A,Taiwan Semiconductor低功率损耗 低正向压降 高电流容量 ### 二极管和整流器,Taiwan Semiconductor

肖特基势垒,最大 1A,

低功率损耗

低正向压降

高电流容量

### 二极管和整流器,Taiwan Semiconductor


欧时:
Taiwan Semiconductor 二极管 BAS70-06 RF 肖特基, Io=70mA, Vrev=70V, 5ns, 3引脚 SOT-23封装


贸泽:
二极管 - 通用,功率,开关 70 Volt 70mA Dual


艾睿:
225MW SMD SWITCHING DIODE


Allied Electronics:
200mW Schottky Dual 70V Com. Anode SOT23


BAS70-06 RF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 225 mW

最大正向浪涌电流(Ifsm) 100 mA

正向电压Max 1 V

正向电流Max 70 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.4 mm

高度 0.95 mm

封装 SOT-23-3

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BAS70-06 RF
型号: BAS70-06 RF
制造商: Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述:肖特基势垒二极管,最大 1A,Taiwan Semiconductor 低功率损耗 低正向压降 高电流容量 ### 二极管和整流器,Taiwan Semiconductor

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