BSL215P L6327

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BSL215P L6327中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 150 mΩ

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

上升时间 9.7 ns

输入电容Ciss 346pF @15VVds

额定功率Max 500 mW

下降时间 9.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6-6

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.1 mm

封装 TSOP-6-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSL215P L6327
型号: BSL215P L6327
制造商: Infineon 英飞凌
描述:MOSFET P-CH DL 20V 1.5A TSOP-6

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