BC849BW RF

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BC849BW RF中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: BC849BW RF
制造商: Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Transistor 200mW

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