BSM080D12P2C008参数规格_中文资料_数据手册PDF

BSM080D12P2C008概述

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2kV 80A 10Pin Tray

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 1200V 1.2kV 80A Tc 600W Chassis Mount Module

欧时:
SiC Power Module

得捷:
SIC POWER MODULE-1200V-80A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 80A 10-Pin Tray

Verical:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 80A 10-Pin Tray

儒卓力:
**SiC Power Module 80A 1200V **

BSM080D12P2C008中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 600 W

漏源极电压Vds 1200 V

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 800pF @10VVds

额定功率Max 600 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 600000 mW

封装参数

引脚数 10

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BSM080D12P2C008引脚图与封装图

在线购买BSM080D12P2C008

型号： BSM080D12P2C008

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：Trans MOSFET N-CH SiC 1.2kV 80A 10Pin Tray