BSH103参数规格_中文资料_数据手册PDF

BSH103概述

BSH103 N沟道MOSFET 30V 850mA/0.85A SOT-23/SC-59 marking/标记 J3 低噪声增益控制放大器

DMOS Transistor N-Channel FEATURES • Very low threshold • High-speed switching • No secondary breakdown • Direct interface to C-MOS, TTL etc.

贸泽:
MOSFET

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin TO-236AB

BSH103中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 750 mW

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 850 mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-236

外形尺寸

封装 TO-236

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BSH103

型号： BSH103

制造商： NXP 恩智浦

描述：BSH103 N沟道MOSFET 30V 850mA/0.85A SOT-23/SC-59 marking/标记 J3 低噪声增益控制放大器

替代型号BSH103