BLF6G38-50

BLF6G38-50图片1
BLF6G38-50中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 290 mΩ

漏源击穿电压 65 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT502B

外形尺寸

长度 20.02 mm

宽度 9.91 mm

高度 4.72 mm

封装 SOT502B

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买BLF6G38-50
型号: BLF6G38-50
制造商: NXP 恩智浦
描述:WiMAX的功率LDMOS晶体管 WiMAX power LDMOS transistor
替代型号BLF6G38-50
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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NXP 恩智浦

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