BFY420P

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BFY420P概述

Trans RF BJT NPN 4.5V 0.035A 4Pin Micro-X

Summary of Features:

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HiRel Discrete and Microwave Semiconductor
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For High Gain Low Noise Amplifiers
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For Oscillators up to 10 GHz
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Noise Figure F = 1.1 dB at 1.8 GHz
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Outstanding Gms = 21dB at 1.8 GHz
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Hermetically sealed microwave package
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Transition Frequency fT = 22 GHz
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SIEGET® 25-Line Technologies Grounded Emitter Transistor-25 GHz fT-Line
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Type Variant No. 02

Target Applications:

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Quality level for Engineering Models
BFY420P中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 160 mW

输入电容 0.67 pF

增益频宽积 22 GHz

最小电流放大倍数hFE 50 @5mA, 1V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 160 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 Micro-X

外形尺寸

长度 4.2 mm

宽度 4.2 mm

高度 1.05 mm

封装 Micro-X

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BFY420P
型号: BFY420P
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Trans RF BJT NPN 4.5V 0.035A 4Pin Micro-X

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