BC857BHZGT116

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BC857BHZGT116概述

单晶体管 双极, PNP, -45 V, 250 MHz, 350 mW, -100 mA, 210 hFE

Bipolar BJT Transistor PNP 45V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3


立创商城:
BC857BHZGT116


得捷:
PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTOR


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP SOT-23 -0.1A 210 to 480hFE -45V


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单晶体管 双极, PNP, -45 V, 250 MHz, 350 mW, -100 mA, 210 hFE


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Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


儒卓力:
**PNP TRANSISTOR 45V 0,1A SOT23 **


Win Source:
PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTOR / Bipolar BJT Transistor PNP 45 V 100 mA 250MHz 200 mW Surface Mount SST3


BC857BHZGT116中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.2 W

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 210 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 480

额定功率Max 200 mW

直流电流增益hFE 210

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BC857BHZGT116引脚图与封装图
BC857BHZGT116引脚图
BC857BHZGT116封装图
BC857BHZGT116封装焊盘图
在线购买BC857BHZGT116
型号: BC857BHZGT116
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:单晶体管 双极, PNP, -45 V, 250 MHz, 350 mW, -100 mA, 210 hFE

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