BC857CW-G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC857CW-G概述

Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3Pin SOT-323 T/R

Bipolar BJT Transistor PNP 45V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount SOT-323

得捷:
TRANS PNP 45V 0.1A SOT323

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT -50, -.1

艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin SOT-323 T/R

BC857CW-G中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 800

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买BC857CW-G

型号： BC857CW-G

制造商： Comchip Technology 上华科技

描述：Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3Pin SOT-323 T/R