BSO612CV G参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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BSO612CV G概述

MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC

Summary of Features:

.: Complementary p- + n-channel

.: Enhancement mode

.: Avalanche rated

.: Qualified according to AEC Q101

.: 100% lead-free; RoHS compliant

立创商城:
BSO612CV G

BSO612CV G中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 340pF @25VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PG-DSO-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 PG-DSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSO612CV G

型号： BSO612CV G

制造商： Infineon 英飞凌

描述：MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC