BSM50GAL120DN2

BSM50GAL120DN2图片1
BSM50GAL120DN2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 400 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Screw

封装 Half Bridge GAL 1

外形尺寸

长度 94 mm

宽度 34 mm

高度 30.5 mm

封装 Half Bridge GAL 1

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: BSM50GAL120DN2
描述:IGBT功率模块(单联开关与断路器二极管包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板) IGBT Power Module Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate

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