BUZ11

BUZ11中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 40 mΩ

耗散功率 90 W

漏源击穿电压 50 V

上升时间 200 ns

下降时间 110 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BUZ11
型号: BUZ11
制造商: ST Microelectronics 意法半导体
描述:N - CHANNEL 50V - 0.03W - 33A TO- 220的STripFET ] MOSFET N - CHANNEL 50V - 0.03W - 33A TO-220 STripFET] MOSFET
替代型号BUZ11
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