BAS85T/R

BAS85T/R图片1
BAS85T/R中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 200 mA

电容 10.0 pF

输出电流 ≤200 mA

极性 Standard

封装参数

安装方式 Surface Mount

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BAS85T/R
型号: BAS85T/R
制造商: NXP 恩智浦
描述:Schottky barrier diode - Cd max.: 10@VR=1V pF; Configuration: single ; IF max: 200mA; IFSM max: 300A; IR max: 2.3@VR=25VA; VFmax: 400
替代型号BAS85T/R
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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NXP 恩智浦

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