BH31RB1WGUT-E2概述
1路150毫安CMOS LDO稳压器 1ch 150mA CMOS LDO Regulators
PMIC - 稳压器 - 线性 正 固定 输出 150mA 4-VCSP60N1（1x1.04）
得捷:
IC REG LIN 3.1V 150MA 4VCSP60N1
贸泽:
低压差稳压器 3.1V CMOS LDO Regulator
安富利:
LDO Regulator Pos 3.1V 0.15A 4-Pin VCSP T/R
BH31RB1WGUT-E2中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 1
输出电压 3.1 V
输出电流 150 mA
耗散功率 0.53 W
输入电压Max 5.5 V
输入电压Min 2.5 V
输出电压Min 3.1 V
输出电流Max 0.15 A
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 530 mW
精度 ±1 %
输入电压 5.5V ~ 2.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 WFBGA-4
外形尺寸
长度 1.04 mm
宽度 1 mm
高度 0.39 mm
封装 WFBGA-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买BH31RB1WGUT-E2
型号： BH31RB1WGUT-E2
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：1路150毫安CMOS LDO稳压器 1ch 150mA CMOS LDO Regulators