BSS159

BSS159 N沟道MOSFET 50V 160mA/0.16A SOT-23/SC-59 marking/标记 SG 逻辑电平输入/热关机/过压保护/过载保护/过压保护

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 50V

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最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage | 14V

最大漏极电流Id Drain Current | 160mA/0.16A

源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 2.9Ω/Ohm @70mA,OV

开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | -3/-1.5

耗散功率Pd Power Dissipation | 360mW/0.36W

Description & Applications | SIPMOS ®Small-Signal-Transistor • N channel • Depletion mode • High dynamic resistance

描述与应用 | SIPMOS®小信号晶体管 •N通道 •耗尽模式 •高动态性