BDP32

BDP32图片1
BDP32概述

BDP32 三极管PNP -45V -3A 60MHZ SOT223

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | −45V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | −45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | -3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 60MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 20 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage | −700mV/-0.7V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 1.35W Description & Applications | PNP medium power transistor FEATURES • High current max. 3 A • Low voltage max. 45 V. APPLICATIONS • General purpose medium power applications. 描述与应用 | PNP中等功率晶体管 特点 •高电流(最大3 A) •低电压(最大45 V)。 应用 •通用中等功率应用

BDP32中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 3A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BDP32
型号: BDP32
制造商: NXP 恩智浦
描述:BDP32 三极管PNP -45V -3A 60MHZ SOT223
替代型号BDP32
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BDP32

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