BF1101WR概述
BF1101WR n沟道双栅MOS-FETs 7V 30MA SOT343 代码 NC 低噪声增益控制放大器1 GHz
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 7V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage | 最大漏极电流Id Drain Current | 30MA 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State | 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 耗散功率Pd Power dissipation | 0.2W 描述与应用 Description & Applications | n沟道双栅MOS-FETs- .
- 短通道晶体管高转移导纳输入电容率 *低噪声增益控制放大器1 GHz *部分内部自给偏压电路,以确保良好的交叉调制在AGC和良好的性能直流稳定。
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.03A 4-Pin3+Tab CMPAK
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