BSH108

BSH108图片1
BSH108概述

BSH108 N沟道MOSFET 30V 1.9A SOT-23/SC-59 marking/标记 WK2 低噪声增益控制放大器

N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Product availability: FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA • Very low threshold voltage VDS = 20 V • Fast switching • Logic level compatible ID = 1.05 A • Subminiature surface mount package


BSH108中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 1.9A

封装参数

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

BSH108引脚图与封装图
BSH108引脚图
BSH108封装图
BSH108封装焊盘图
在线购买BSH108
型号: BSH108
制造商: NXP 恩智浦
描述:BSH108 N沟道MOSFET 30V 1.9A SOT-23/SC-59 marking/标记 WK2 低噪声增益控制放大器
替代型号BSH108
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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