BSR31 PNP三极管 -70V -2A 100MHz 100~300 -500mV/-0.5V SOT-89/SC-62 高电流/低电压
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −70V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −60V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.4W Description & Applications| PNP medium power transistors FEATURES • High current max. 1 A • Low voltage max. 80 V. APPLICATIONS • Telephony and general industrial applications • Thick and thin-film circuits. 描述与应用| PNP中等功率晶体管 特点 •高电流(最大1 A) •低电压(最大80 V)。 应用 •电话和一般工业应用 •厚薄膜电路。
封装 SOT-89
封装 SOT-89
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO −70V
集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO −60V
集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC -2A
截止频率fTTranstion FrequencyfT 100MHz
直流电流增益hFEDC Current GainhFE 100~300
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage −500mV/-0.5V
耗散功率PcPoWer Dissipation 1.4W
规格书PDF __
RoHS标准 RoHS Compliant
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSR31 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
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