BFR30参数规格_中文资料_数据手册PDF

BFR30概述

BFR30 N沟道结型场效应管 25v 4~10mA SOT-23 marking/标记 M1P 低级别的通用放大器

•N-channel silicon field-effect transistors DESCRIPTION Planar epitaxial symmetrical junction N-channel field-effect transistor in a plastic SOT23 package. APPLICATIONS Low level general purpose amplifiers in thick and thin-film circuits.

BFR30中文资料参数规格

封装参数

封装 1020

外形尺寸

封装 1020

其他

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage 25v

栅源极击穿电压VBRGSGate-Source Voltage -25v

漏极电流Vgs=0VIDSSDrain Current 4~10ma

耗散功率PdPower Dissipation 250mW/0.25W

规格书PDF __

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

BFR30引脚图与封装图

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型号： BFR30

制造商： NXP 恩智浦

描述：BFR30 N沟道结型场效应管 25v 4~10mA SOT-23 marking/标记 M1P 低级别的通用放大器

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