BLT50

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BLT50概述

BLT50 NPN三极管 20V 500mA/0.5A 470MHz 25 7.5V SOT-223/SC-73 marking/标记 BLT50 UHF功率晶体管

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 10V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 470MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 25 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 7.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 2W Description & Applications| UHF power transistor FEATURES SMD encapsulation Gold metallization ensures excellent reliability. DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a SOT223 surface mounted envelope and designed primarily for use in hand-held radio equipment in the 470 MHz communications band. 描述与应用| UHF功率晶体管 特点 SMD封装 镀金确保 出色的可靠性。 说明 NPN硅平面外延晶体管封装在一个SOT223表面安装的信封和设计主要用于手持式无线电设备在470 MHz的通信频段。

BLT50中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO 20V

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO 10V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC 500mA/0.5A

截止频率fTTranstion FrequencyfT 470MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE 25

管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage 7.5V

耗散功率PcPower Dissipation 2W

规格书PDF __

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: BLT50
制造商: NXP 恩智浦
描述:BLT50 NPN三极管 20V 500mA/0.5A 470MHz 25 7.5V SOT-223/SC-73 marking/标记 BLT50 UHF功率晶体管
替代型号BLT50
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BLT50

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BLT50,115

恩智浦

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BLT50和BLT50,115的区别

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