BSF050N03LQ3 G

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BSF050N03LQ3 G中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 5 mΩ

耗散功率 28 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 3.4 nS

输入电容Ciss 3000pF @15VVds

额定功率Max 2.2 W

下降时间 3.2 nS

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 WDSON-2-3

外形尺寸

长度 6.35 mm

宽度 5.05 mm

高度 0.7 mm

封装 WDSON-2-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSF050N03LQ3 G
型号: BSF050N03LQ3 G
制造商: Infineon 英飞凌
描述:MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON

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