BSL806N L6327

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BSL806N L6327中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 57 mΩ

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

上升时间 9.9 nS

输入电容Ciss 370pF @10VVds

下降时间 3.7 nS

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.1 mm

封装 TSOP-6

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSL806N L6327
型号: BSL806N L6327
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 6Pin TSOP T/R

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