BSO211P H

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BSO211P H概述

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO

Summary of Features:

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Enhancement mode
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Normal level, logic level or super logic level
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Avalanche rated
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Pb-free lead plating; RoHS compliant

贸泽:
MOSFET SMALL SIGNAL N-CH


AMEYA360:
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO


BSO211P H中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 ±20 V

输入电容Ciss 1095pF @15VVds

额定功率Max 1.6 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PG-DSO-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 PG-DSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSO211P H
型号: BSO211P H
描述:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO

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