BC858BLT3

BC858BLT3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号: BC858BLT3
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:通用晶体管 General Purpose Transistors
替代型号BC858BLT3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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