BSN254A

BSN254A图片1
BSN254A图片2
BSN254A中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 1.00 W

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 0.31A

封装参数

引脚数 3

封装 SPT

外形尺寸

封装 SPT

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BSN254A
型号: BSN254A
制造商: NXP 恩智浦
描述:N沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors
替代型号BSN254A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BSN254A

NXP 恩智浦

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