BCV63

BCV63中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 30V, 6V

集电极最大允许电流 0.1A

耗散功率Max 250 mW

封装参数

封装 SOT-143

外形尺寸

封装 SOT-143

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: BCV63
制造商: NXP 恩智浦
描述:NPN通用双晶体管 NPN general purpose double transistors
替代型号BCV63
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