BSH114参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

BSH114图片1

BSH114中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 0.85A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-236

外形尺寸

封装 TO-236

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BSH114

型号： BSH114

制造商： NXP 恩智浦

描述：N沟道增强型网络场效晶体管 N-channel enhancement mode field effect transistor

替代型号BSH114

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

BSH114

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BSH114,215

恩智浦

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