BLS6G3135-20参数规格_中文资料_数据手册PDF

BLS6G3135-20中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 580 mΩ

阈值电压 2 V

漏源击穿电压 60 V

上升时间 20 ns

输出功率 20 W

增益 15.5 dB

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-608

外形尺寸

长度 20.45 mm

宽度 10.29 mm

高度 4.62 mm

封装 SOT-608

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买BLS6G3135-20

型号： BLS6G3135-20

制造商： NXP 恩智浦

描述：LDMOS S波段雷达功率晶体管 LDMOS S-Band radar power transistor

替代型号BLS6G3135-20