BUZ11A

BUZ11A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 75 W

上升时间 95 ns

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Obsolete

数据手册

在线购买BUZ11A
型号: BUZ11A
制造商: Siemens Semiconductor 西门子
描述:SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated
替代型号BUZ11A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BUZ11A

Siemens Semiconductor 西门子

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