BD539C

BD539C中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 45000 mW

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.7 mm

高度 8.72 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BD539C
型号: BD539C
制造商: Bourns J.W. Miller 伯恩斯
描述:NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
替代型号BD539C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BD539C

Bourns J.W. Miller 伯恩斯

当前型号

当前型号

BD539C-S

伯恩斯

类似代替

BD539C和BD539C-S的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台