BZD27C5V1P-GS18参数规格_中文资料_数据手册PDF

BZD27C5V1P-GS18概述

齐纳二极管与浪涌电流规格 Zener Diodes with Surge Current Specification

Zener Diodes with Surge Current Specification

Features

• Sillicon PlanarZener Diodes

• Low profile surface-mount package

• Zener and surge current specification

• Low leakage current

• Excellent stability

• High temperature soldering: 260 °C/10 sec. at terminals

• Lead Pb-free component

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

贸泽:
稳压二极管 RECOMMENDED ALT 78-BZD27C5V1P-E3-18

BZD27C5V1P-GS18中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 800 mW

测试电流 100 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

封装 DO-219AB

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.9 mm

高度 0.98 mm

封装 DO-219AB

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BZD27C5V1P-GS18

型号： BZD27C5V1P-GS18

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：齐纳二极管与浪涌电流规格 Zener Diodes with Surge Current Specification

替代型号BZD27C5V1P-GS18

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BZD27C5V1P-GS18 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
BZD27C5V1P-M-08 威世	完全替代	BZD27C5V1P-GS18和BZD27C5V1P-M-08的区别
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