BLC6G27-100,112

BLC6G27-100,112图片1
BLC6G27-100,112中文资料参数规格
技术参数

频率 2.5GHz ~ 2.7GHz

漏源击穿电压 28 V

输出功率 14 W

增益 17 dB

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-89-5

外形尺寸

封装 SOT-89-5

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLC6G27-100,112
型号: BLC6G27-100,112
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF MOSFET Transistors BLC6G27-100/DFM2/TUBE-BULK//

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