BSP125 L6433中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 45000 mΩ
耗散功率 1.8 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 14.4 ns
输入电容Ciss 150pF @25VVds
额定功率Max 1.8 W
下降时间 14.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223-4
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买BSP125 L6433
型号： BSP125 L6433
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R