BR93G66FVJ-3BGTE2参数规格_中文资料_数据手册PDF

BR93G66FVJ-3BGTE2概述

电可擦除可编程只读存储器 Microwire BUS 4Kbit256x16bit

EEPROM 存储器 IC 4Kb（256 x 16） SPI 3 MHz 8-TSSOP-BJ

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BR93G66FVJ-3BGTE2

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MICROWIRE BUS 4KBIT256X16BIT E

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电可擦除可编程只读存储器 Microwire BUS 4Kbit256x16bit

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EEPROM Serial-Microwire 4K-bit 256 x 16 1.8V/2.5V/3.3V/5V 8-Pin TSSOP-BJ T/R

BR93G66FVJ-3BGTE2中文资料参数规格

技术参数

时钟频率 3 MHz

存取时间Max 200 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BR93G66FVJ-3BGTE2

型号： BR93G66FVJ-3BGTE2

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：电可擦除可编程只读存储器 Microwire BUS 4Kbit256x16bit