BDP 949 E6327

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BDP 949 E6327中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 1V

额定功率Max 5 W

封装参数

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BDP 949 E6327
型号: BDP 949 E6327
制造商: Infineon 英飞凌
描述:TRANSISTOR NPN AF 60V SOT-223

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