BS2101F-E2参数规格_中文资料_数据手册PDF

BS2101F-E2概述

MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 10V至18V电源, 220ns延迟, SOP-8

High-Side or Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOP

立创商城:
BS2101F-E2

得捷:
IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8SOP

e络盟:
MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 10V至18V电源, 220ns延迟, SOP-8

艾睿:
Driver 600V 0.13A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOP T/R

BS2101F-E2中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 60ns, 20ns

输出接口数 2

针脚数 8

下降时间Max 170 ns

上升时间Max 300 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 10V ~ 18V

电源电压Max 18 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

BS2101F-E2引脚图与封装图

在线购买BS2101F-E2

型号： BS2101F-E2

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 10V至18V电源, 220ns延迟, SOP-8