BU52272NUZ-ZE2

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BU52272NUZ-ZE2概述

霍尔效应开关, 全极, 0.0024 T, 0.002 T, 1.65 V, 3.6 V, VSON

Digital Switch Omnipolar Switch CMOS Hall Effect


得捷:
MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR


贸泽:
板机接口霍耳效应/磁性传感器 Omnipolar Hall IC 1.65-3.6V 4.4uA


BU52272NUZ-ZE2中文资料参数规格
技术参数

输出电流Max 0.5 mA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.65V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 1.65 V

封装参数

引脚数 4

封装 XFDFN-4

外形尺寸

封装 XFDFN-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

BU52272NUZ-ZE2引脚图与封装图
BU52272NUZ-ZE2引脚图
BU52272NUZ-ZE2封装图
BU52272NUZ-ZE2封装焊盘图
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型号: BU52272NUZ-ZE2
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:霍尔效应开关, 全极, 0.0024 T, 0.002 T, 1.65 V, 3.6 V, VSON

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