BCW68GVL

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BCW68GVL概述

单晶体管 双极, PNP, -45 V, 80 MHz, 250 mW, -800 mA, 60 hFE

Bipolar BJT Transistor PNP 45V 800mA 80MHz 250mW Surface Mount TO-236AB


得捷:
BCW68GSOT23TO-236AB


立创商城:
PNP 45V 800mA


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 80 MHz, 250 mW, -800 mA, 60 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


BCW68GVL中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 160 @100mA, 1V

额定功率Max 250 mW

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买BCW68GVL
型号: BCW68GVL
制造商: Nexperia 安世
描述:单晶体管 双极, PNP, -45 V, 80 MHz, 250 mW, -800 mA, 60 hFE

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