BSM100GB120DN2KHOSA1

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BSM100GB120DN2KHOSA1概述

Trans IGBT Module N-CH 1200V 145A 700000mW 7Pin 34MM-1

IGBT 模块 - 半桥 底座安装 模块


得捷:
IGBT MOD 1200V 145A 700W


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 145A 700000mW 7-Pin 34MM-1


安富利:
Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 100A nom 700W 7-Pin 94x34mm


TME:
IGBT half-bridge; Urmax:1.2kV; Ic:100A; P:700W; Ifsm:200A; screw


BSM100GB120DN2KHOSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 700000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 6.5nF @25V

额定功率Max 700 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 700000 mW

封装参数

引脚数 7

封装 34MM-1

外形尺寸

封装 34MM-1

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买BSM100GB120DN2KHOSA1
型号: BSM100GB120DN2KHOSA1
描述:Trans IGBT Module N-CH 1200V 145A 700000mW 7Pin 34MM-1

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