BCX55TA

BCX55TA图片1
BCX55TA图片2
BCX55TA图片3
BCX55TA图片4
BCX55TA图片5
BCX55TA图片6
BCX55TA图片7
BCX55TA图片8
BCX55TA概述

TRANS NPN 60V 1A 1W SOT89

- 双极 BJT - 单 NPN 60 V 1 A 150MHz 1 W 表面贴装型 SOT-89-3


立创商城:
NPN 60V 1A


得捷:
TRANS NPN 60V 1A SOT89-3


艾睿:
Diodes Zetex brings you the solution to your high-voltage BJT needs with their NPN BCX55TA general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.


Allied Electronics:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 3+Tab SOT89


安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1W; SOT89


Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


DeviceMart:
TRANS NPN 60V 1A 1W SOT89


Win Source:
TRANS NPN 60V 1A SOT89


BCX55TA中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买BCX55TA
型号: BCX55TA
制造商: Diodes 美台
描述:TRANS NPN 60V 1A 1W SOT89
替代型号BCX55TA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCX55TA

Diodes 美台

当前型号

当前型号

BCX55-10TA

美台

类似代替

BCX55TA和BCX55-10TA的区别

BCX55-16,115

恩智浦

功能相似

BCX55TA和BCX55-16,115的区别

BCX55-16,135

恩智浦

功能相似

BCX55TA和BCX55-16,135的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台